作者: it_do_just 时间: 2015-10-25 18:33
一楼，正好需要补充这部分知识，期待！！
作者: guset_03 时间: 2015-10-25 19:54
很不错，6个字
作者: 正点原子 时间: 2015-10-25 21:27
楼主又学新东西了,不错啊
作者: 八度空间 时间: 2015-10-25 22:24
不错不错。。。。。
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-25 22:31
回复【2楼】229382777@qq.com:
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回复【3楼】guset_03:
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回复【4楼】正点原子:
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回复【5楼】八度空间:
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一起回复了，哈哈
谢谢亲们鼓励~~~~~
作者: 负西弱 时间: 2015-10-26 11:26
跟着楼主的脚步学习学习
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-26 22:36
回复【7楼】负西弱:
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共勉~~~~~
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-26 22:40
今天又受被老板提到硬件知识薄弱，唉，也因此放下其他安排，尽力补充电路方面知识
由于部分知识是以前断断续续整理的，所以相关链接可能无法提供了，如果想了解相关知识直接百度即可
欢迎坛友补充各种元器件知识，共勉
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-26 22:48
元器件-----电阻
一、定义：
电阻的英文名称为resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律指出电压、电流和电阻三者之间的关系为I=U/R，亦即R =U/I。电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”来表示。
二、作用：
电阻在电路中通常起分压、限流的作用。
三、公式：
串联： R=R1+R2+．．．+Rn
并联：1/R=1/R1+1/R2+．．．+1/Rn
定义式：R=U/I
决定式：R=ρL/S(ρ表示电阻的电阻率，是由其本身性质决定，L表示电阻的长度，S表示电阻的横截面积)
四、单位：
导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，读作Omega)，1Ω=1V/A。
1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω
五、常见种类：
1、热敏电阻：是一种对温度极为敏感的电阻器。分为正温度系数和负温度系数电阻器。选用时不仅要注意其额定功率、最大工作电压、标称阻值，更要注意最高工作温度和电阻温度系数等参数，并注意阻值变化方向。
2、光敏电阻：硫化镉等材质，阻值随着光线的强弱而发生变化的电阻器。分为可见光光敏电阻、红外光光敏电阻、紫外光光敏电阻。选用时先确定电路的光谱特性。
3、压敏电阻：是对电压变化很敏感的非线性电阻器。当电阻器上的电压在标称值内时，电阻器上的阻值呈无穷大状态，当电压略高于标称电压时，其阻值很快下降，使电阻器处于导通状态，当电压减小到标称电压以下时，其阻值又开始增加。压敏电阻可分为无极性（对称型）和有极性（非对称型）压敏电阻。选用时，压敏电阻器的标称电压值应是加在压敏电阻器两端电压的2-2.5倍。另需注意压。
4、湿敏电阻：是对湿度变化非常敏感的电阻器，能在各种湿度环境中使用。它是将湿度转换成电信号的换能器件。选用时应根据不同类型号的不同特点以及湿敏电阻器的精度、湿度系数、响应速度，湿度量程等进行选用。
六、制作材料：
1、碳膜电阻：碳膜电阻（碳薄膜电阻），常用符号RT作为标志。为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属薄膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器，设备，资讯产品之最基本零组件。
2、金属膜电阻：金属膜电阻（metal film resistor），常用符号RJ作为标志；其同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成金属膜（如镍铬），并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端镀上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优势。因此被广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。
3、线绕电阻：用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-26 22:57
元器件-----电阻（二）
一、电阻封装：
1、AXIAL0.3-AXIAL0.7，其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4
2、电位器 VR
二、封装与功率：
0201 1/20W
0402 1/16W
0603 1/10W
0805 1/8W
1206 1/4W
封装与外形尺寸
0402=1.0x0.5
0603=1.6x0.8
0805=2.0x1.2
1206=3.2x1.6
1210=3.2x2.5
1812=4.5x3.2
2225=5.6x6.5
附：贴片电阻标准封装及额定功率http://wenku.baidu.com/view/cbd28a6eb84ae45c3b358cc3.html
三、标注：
1、直标法—将电阻器的主要参数和技术性能用数字或字母直接标注在电阻体上。 eg: 5.1KΩ 5% 5.1KΩ J
2、文字符号法—将文字、数字两者有规律组合起来表示电阻器的主要参数
eg: 0.1Ω=Ω1=0R1, 3.3Ω=3Ω3=3R3,3K3=3.3KΩ
3、色标法—用不同颜色的色环来表示电阻器的阻值及误差等级.普通电阻一般有4环表示,精密电阻用5环。
4、贴片电阻标注方法-前两位表示有效数,第三位表示有效值后加零的个数.0-10欧带小数点电阻值表示为XRX,RXX。
eg : 471=470Ω 105=1M 2R2=2.2Ω
5、色标法：
6.常用电阻阻值、电容容值表：http://www.xcar.com.cn/bbs/viewthread.php?tid=12427487
作者: it_do_just 时间: 2015-10-27 08:22
我发现硬件知识必须多用才行啊，虽然自己硬件基础也不太好，每次学了后过久不用又忘了，我觉得楼主学完例如电阻或电容后，可以试着把原子的原理图上的电路贴出来，把计算电阻电容值的过程列一下，可能会记忆比较深刻，哈哈，我也坚持每天跟楼主的步伐学习！！
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-27 09:52
回复【12楼】229382777@qq.com:
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工作压力比较大，用到哪尽快往哪里学了
共勉~~~~~
作者: FantaSy_ 时间: 2015-10-27 10:24
回复【13楼】龙之谷:
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楼主加油！！！
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-27 10:42
回复【14楼】FantaSy_:
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哈哈，谢谢鼓励~~~~~
共勉~~~~~
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-28 23:02
电路-----第一章 电路模型和电路定律
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-29 13:35
电路-----第二章 电阻电路的等效变换
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-29 13:55
电路-----第三章 电阻电路的一般分析
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-29 14:31
电路-----第四章 电路定理
作者: 正点原子 时间: 2015-10-29 21:06
楼主来搞几个题目解析啊
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-29 22:39
回复【20楼】正点原子:
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介个，不好下手，工作压力比较大想尽快学到需要的知识点，前期这些理论性比较强的基础就打算先一带而过~~~~~
电路底子太薄，自己题目解析起来比较吃力生硬，以后加一些书本或网络解析方面的内容吧，嘿嘿~~~~~
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-29 23:18
元器件-----电容
一、定义：
电容（capacitance），指的是在给定电位差下的电荷储藏量，标记为C。
二、作用：
应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。
三、公式：
并联：C=C1+C2+C3+…+Cn
串联：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn
定义式：C=Q/U
决定式：C=εS/4πkd（其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量）
四、单位：
1法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（μF）
1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）
五、常见种类：
1、电解电容：电解电容是电容的一种，金属箔为正极（铝或钽），与正极紧贴金属的氧化膜（氧化铝或五氧化二钽）是电介质，阴极由导电材料、电解质（电解质可以是液体或固体）和其他材料共同组成，因电解质是阴极的主要部分，电解电容因此而得名。同时电解电容正负不可接错。（钽电容，全称是钽电解电容，也属于电解电容的一种，由于使用金属钽做介质，不需要像普通电解电容那样使用电解液，另外，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感，但同时也限制了它的容量。）
2、瓷片电容：瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
3、金属膜电容：在将双面金属化聚丙烯膜和非金属化聚丙烯膜进行卷取或者叠层所组成的金属化膜电容器。
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-29 23:22
元器件-----电容（二）
一、电容封装：
1、无极性电容 RAD
封装属性为RAD-0.1到rad-0.4，其中0.1-0.4指电容大小，一般用RAD0.2
2、电解电容 RB- 封装属性为RB.1/.2-RB.5/.10，其中.1/.2-.5/.10指电容大小。一般<100uF用RB.1/.2，100uF-470uF用RB.2/.4，>470uF用RB.3/.6
二、封装与外形尺寸：
0402=1.0x0.5
0603=1.6x0.8
0805=2.0x1.2
1206=3.2x1.6
1210=3.2x2.5
1812=4.5x3.2
2225=5.6x6.5
三、标注：
1、直标法-指在电容器的表面直接用数字或字母标注出标称容量,额定电压等参数。
2、数字和文字标注-用2-4位数字和一个字每混合后表示电容器的容量大小.数字表示有效数值,字母表示数量级.常用字母m、 μ 、n、p等。
3、三位数字表示法-前两位为有效数字,第三位表示有效数字后面加零的个数,但如第三位数字为9,则9表示乘0.1。单位为皮法(pF)。
4、四位数字表示法-用1-4位数字表示电容器的容量,单位为pF.如用零点几表示容量时,单位为μF. 3300=3300pF 0.056=0.056μF。
5、色标法：同电阻标法。
一、定义：
二、作用：
一、 定义：
采用在高频段具有良好阻抗特性的铁氧体材料烧结面成，专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。
二、 标称值：
因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆 .一般以100MHz为标准，比如2012B601，就是指在100MHz的时候磁珠的阻抗为600欧姆。
三、 电感与磁珠区别：
①有一匝以上的线圈习惯称为电感线圈,少于一匝（导线直通磁环）的线圈习惯称之为磁珠;
②电感是储能元件,而磁珠是能量转换（消耗）器件;
③电感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策; 磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题;
④电感一般用于电路的匹配和信号质量的控制上。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。
一、定义：
保险丝是一种具有保护作用的电子装置,它通常串联在电路中,在故障电流增大到一定数值时,自身熔断而切断电路或自身发热使其电阻急剧升高阻止电流通过电路,达到保护电路中其它设备的目的。在电路过电流保护组件中最常用的就是保险丝。
二、作用：
当电路中出现较大的过载电流时,保险丝应在规定的时间内切断过载电流,保护电路中其它电子或电气设备之零组件的安全。
三、分类：
1. 保险丝管:最通用的一种保险丝,外壳用玻璃/瓷壳作的,内部是保险丝,一般用在电源插座,电子设备仪器、 DVD 、VCD 、电视机等交流电源输入的地方。
2. 可恢复保险丝（热敏电阻类）: 由高分子聚合物及导电材料等混合制成的.当正常工作电流通过时保险丝呈低阻状态；当电路中有异常大电流通过时保险丝呈高阻状态;当电路中大电流消失后保险丝又呈低阻状态。
作用:常用于电脑周边电子产品.防止电源短路、浪涌电流对产品的损坏.。
主要参数：
最大电压：在20 ℃时元件两端所能承受的最大电压降。
保持电流：在20 ℃时元件流过足以触发关断的最小电流值。
原始电阻：在20 ℃时元件断开关的阻抗,一般只有几毫欧到几欧。
断开时间：在20 ℃条件下,以5倍保持电流触元件断开的最大时间。
恢复时间：指20 ℃电源移去后由关断到闭合导通的时间,一般小于20s。
3. 温度保险丝:设备温度异常升高,当温度超过允许异常温度时,温度保险丝便会自动熔断,切断电源,防止电器进一步损坏,杜绝火灾发生。
作用: 线圈类产品 (变压器、电源适配器、充电器及电机)、家用电器(电风扇、空调、电热器具、加湿器、照明器具)
主要参数： 额定温度：也称为动作温度或熔断温度,它是指在无负荷的情况下,使温度以每分钟1 ℃的速度升至熔断时的温度。
熔断精度：是指温度保险丝实际熔断温度与额定温度的差值。
4. 熔断电阻器:又称为保险电阻.这是一种兼具电阻器和熔断器双重功能的元件.在电路正常工作时,熔断电阻器的额定功率下发出的热量与周围介质达到平衡,它具有电阻器的功能;当电路出现异常过载超过其额定功率时,它就会像保险丝一样熔断,使连接的电路断开起到保护元件的作用。可分为可恢复式和不可恢复。
一、定义：
石英晶体谐振器又称为石英晶体,俗称晶振。是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件。与半导体器件和阻容元件一起使用,便可构成石英晶体振荡器。
二、压电效应：
对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移,产生极化,从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷.在一定应力范围内,机械力与电荷呈线性可逆关系.这种现象称为压电效应。
三、作用：
提供系统振荡脉冲,稳定频率,选择频率。
四、主要参数：
1.标称频率:在规定条件下,晶振的谐振中心频率。
2.调整频差:在规定条件下,基准温度时的工作频率相对标称频率的最大偏离值(ppm)。
3.温度频差:在规定条件下,在整个工作温度范围内,相对于基准温度时工作频率的允许偏离值。
4.负载谐振电阻:晶振与指定外部电容相串联,在负载谐振频率时的电阻值。
5.负载电容: 是指与晶振一起决定负载谐振频率的有效外界电容.常用标准值有:12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF。
一、定义：
电声器件通常是指能将音频电信号转换成声音信号或者能将声音信号转换成音频信号的器件。
二、常用电声器件：
扬声器:把音频信号转变为声音信号的电声器件;
传声器:把声音信号转变为音频电信号的电声器件;
拾音器、耳机和蜂鸣器等也属于电声器件。
6、误差及额定电压代码-
补充，电容耐压等级（链接：http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_1871004.HTM）
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-30 09:45
电路-----第五章 含有运算放大器的电阻电路
1.运算放大器（简称运放）是一种包含许多晶体管的集成电路，是一种多端器件。
2.一般放大器的作用是把输入电压放大一定的倍数后在输送出去，其输出电压与输入电压的比值称为电压放大倍数或电压增益。
3.运放是一种高增益、高输入电阻、低输出电阻的放大器，由于它能完成加法、积分、微分等数学运算而被称为运算放大器，然而它的应用远远超出上述范围。
4.输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗，在输入端加上一个电压源U，测量输入端的电流I，则输入阻抗Rin就是U/I，可以吧输入端想象成一个电阻的两端，就是输入阻抗。
对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动；而对于电流驱动型电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻，因此，可以这样认为，如果是电压驱动的，则输入阻抗越大越好；如果是电流源驱动的，则阻抗越小越好（注，只适合低频电路，高频电路中还要考虑阻抗匹配问题）。
输出阻抗是电路或设备对交流电流的阻力，输出阻抗是在出口处测得的阻抗，阻抗越小，驱动更大负载的能力越强。
（链接：http://zhidao.baidu.com/link?url=uLqNAfBoqNi3vKQLvoD9E08Ue4__wSfI1Aal5OrU1ZCZ44wYCHfUt8jVjg6MMsG6yCSt6OQURjXX_rSWeeiJaa）
5.阻抗匹配（impedance matching）信号源内阻与所接传输线的特性阻抗大小相等且相位相同，或传输线的特性阻抗与所接负载阻抗的大小相等且相位相同，分别称为传输线的输入端或输出端处于阻抗匹配状态，简称为阻抗匹配。
（链接：http://baike.baidu.com/link?url=91sh1Y34IuVdPGSc3LJKEZ9a7JdhbihwyhmlcFIDX27I1RuMDRySH3vh3bkmetB3）
6.（如下图）其中三角形符号表示放大器。（实际运放的外部端子可能比图示的还要多）运放有两个输入端a、b和一个输出端o，电源端子E+和E-连接直流偏置电压，以维持运放内部晶体管正常工作。E+端接正电压，E-端接负电压，这里电压的正、负是对地或公共端而言的，在分析运放的放大作用时可以不考虑偏置电源。
a端称为倒向输入端（或反相输入端），当输入电压u-加在a端与公共端之间，且其实际方向从a端指向公共端时，输出电压Uo的实际方向则自公共端指向o端，即两者方向正好相反。
b端为非倒向输入端（或同相输入端），当输入电压u+加在b端与公共端之间，Uo与u+两者的实际方向相对公共端而言七号相同。
为了区别起见，a端和b端分别用“-”“+”标出，但不要将其误认为电压参考方向的正负极性，电压的正负极性应另外标出或用箭头表示。
如果在a端和b端分别同时加上输入电压u-和u+，则有Uo=A（u+ - u-）=AUd；其中，Ud=u+ - u-，A为运放的放大倍数（或电压增益的绝对值）。运放的这种输入情况称为差分输入，而Ud称为差分输入电压。
差分输入是将两个输入端的差值作为信号，这样可以免去一些误差。（链接：http://baike.baidu.com/link?url=shKi4hkCsiXo8Ax6MGHmWHPrGon2qAQRbCcthLWUKgLH0VRvj_KoL1ugMIvCCqlsBQuKohIoUpCV4AKEprxIOK）
7.晶体管构成的放大器要做到不失真的将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏，即应设置它的工作点。所谓工作点就是通过对外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位，这些外部电路就称为偏置电路（可理解为设置PN结正、反偏的电路），偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。（链接：http://www.elecfans.com/dianzichangshi/2009042252609.html）
8.共模输入电压，是指两个输入端处，输入信号的幅度和相位都是相同的；
差模输入电压，是指两个输入端处，输入信号的幅度和相位都是反向的。
（链接：http://wenda.haosou.com/q/1367746634068740?src=150）
9.（理想）运放的分析规则
其一，倒向端和非倒向端的输入电流均为零（虚断）；
其二，对于公共端（地），倒向输入端的电压与非倒向输入端的电压相等（虚短）。
合理地运用这两条规则，并与结点电压法相结合，将使这类电路的分析大为简化。
如上图，虚断即两个X号左右认为是断开的，虚短即两个箭头处电压认为是相等的，即V+=V-，有了这两个规则，分析电路时就不用考虑运放的存在，按照一般电路计算即可。
10.运算放大器基本电路（链接：http://www.360doc.com/content/12/0206/22/8553806_184659897.shtml）
①
虚短--V+=V-=0
虚断--I1=(Vi-V-)/R1 I2=(V--Vout)/R2
又I1=I2,得Vout=（R2/R1）*Vi
②
虚短--Vi=V-=IR2
虚断--I = Vout/(R1+R2)
得Vout = Vi*（R1+R2）/R2
③
虚短--V+=V-=0
虚断--(V1-V-)/R1 = (V2-V-)/R2 = (V--Vout)/R3
得Vout=V1+V2，即加法器
④
虚断--(V1-V+)/R1=(V+-V2)/R2 （Vout-V-)/R3=V-/R4
虚短--V+=V-
如果R1=R2 R3=R4,则V+=(V1+V2)/2 V-=Vout/2，得Vout=V1+V2，即加法器
⑤
虚断--（V2-V+）/R1=V+/R2 (V1-V-)/R4=(V--Vout)/R3 如果R1=R2,则V+=V2/2 如果R3=R4,则V-=（Vout+V1）/2
虚短--V+=V-
得Vout=V2-V1，即减法器
⑥
虚短--反向输入端的电压与同向端相等
虚断--V1/R1 = C*dVout/dt
即Vout=(-1/(R1*C1))∫V1dt，输出电压与输入电压对时间的积分成正比，即积分电路，若V1为恒定电压则Vout输出电压是一条从0至负电源电压按时间变化的直线
⑦
虚断--通过电容C1和电阻R2的电流是相等的，Vout=-i*R2=-（R2*C1）dV1/dt
虚短--运放同向端与反向端电压是相等的
即微分电路，如果V1是一个突然加入的直流电压，则输出Vout对应一个方向与V1相反的脉冲
⑧
虚短--Vx=V1 Vy=V2 Vu=Vw
虚断--I=(Vx-Vy)/R2 Vo1-Vo2=I*(R1+R2+R3)=(Vx-Vy)(R1+R2+R3)/R2
若R6=R7，则Vw=Vo2/2 同理，若R4=R5,则Vu=(Vout+Vo1)/2
Vout=（Vy-Vx）（R1+R2+R3）/R2,式中（R1+R2+R3）/R2是定值，确定了差值Vy-Vx的放大倍数，此电路就是差分放大电路
⑨
很多控制器接受来自各种检测仪表的0~20ma或4~20ma电流，电路将此电流转换成电压后再送ADC转换成数字信号。4~20ma电流流过采样100欧电阻R1，在电阻R1上会产生0.4~2V的电压差。
虚断--(V2-Vy)/R3=Vy/R5 (V1-Vx)/R2=(Vx-Vout)/R4
虚短--Vx=Vy V1=V2+(0.4~2)得(V2+(0.4~2)-Vy)/R2=(Vy-Vout)/R4
如果R3=R2,R4=R5,则Vout=-（0.4~2）R4/R2 R4/R2=2.2,则Vout=-（0.88~4.4）V，也就是将4~20ma电流转换成-0.88~-4.4V电压，此电压可以送ADC处理
⑩
电流可以转换成电压，电压也可以转换成电流。上图的负反馈没有通过电阻直接反馈，而是串联了三极管Q1的发射结。
虚断--（Vi-V1）/R2=（V1-V4）/R6 (V3-V2)/R5=V2/R4
虚短--V1=V2
如果R2=R6,R4=R5，则V3-V4=Vi，说明R7两端的电压和输入Vi相等，则通过R7的电流I=Vi/R7，如果负载RL<<100K欧，则通过Ri和R7的电流基本相同。
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-30 11:17
元器件-----电感
能产生电感作用的元件统称为电感原件（inductance of an ideal inductor）。
阻交流通直流,阻高频通低频(滤波)
三、公式：
L=μ×Ae*N2/ l（L表示电感量、μ表示磁心的磁导率、Ae表示磁心的截面积、N表示线圈的匝数、lm表示磁心的磁路长度。由此可知，当某个电感生产成型后，Ae、N、lm都为定值，那么影响电感出厂后量值的就只有磁导率μ了）。
四、单位：
亨利（H）
五、分类：
1、按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。
2、按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转。
3、按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
六、自感与互感：
电感是闭合回路的一种属性，即当通过闭合回路的电流改变时，
会出现电动势来抵抗电流的改变。这种电感称为自感（self-inductance），是闭合回路自己本身的属性。假设一个闭合回路的电流改变，由于感应作用而产生电动势于另外一个闭合回路，这种电感称为互感（mutual inductance）。
七、允许误差
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-30 23:28
元器件-----磁珠
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-30 23:30
元器件-----保险丝
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-30 23:33
元器件-----晶振
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-30 23:34
元器件-----电声元件
作者: 龙之谷 时间: 2015-10-31 10:15
电路-----第五章 储能元件
一、电容
1.线性电容元件的元件特性为q=Cu，其中，C是电容，是一个正实常数，当电荷和电压的单位分别为C和V时，电容的单位是F(法拉，简称法)。
2.如果电容元件的电流i和电压u取关联参考方向，则电容元件的电压电流关系（VCR）为 i=dq/dt=d(Cu)/dt=Cdu/dt;
上式标明电流和电压的变化率成正比，当电容上电压巨变时，电流很大；当电压不随时间变化时，电流为零。故电容在直流情况下其两端的电压恒定，相当于开路，或者说电容有隔断直流（隔直）的作用。
3.
4.
二、电感
1.
2.
3.
三、基本公式
1.电容串联：
电容并联：
2.电感串联：
电感并联：
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-1 15:10
元器件-----二极管（理论部分）
1.半导体器件是构成各种电子电路的基础，主要是利用各种半导体材料制成，如四价硅（Si）和锗（Ge）等。
2.本征半导体，纯净的、不含杂志的半导体。
①在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强，在热力学温度零度（T=0K，相当于-273℃）时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，因此，晶体中不存在能够导电的载流子。
②自由电子，温度升高，将有少数价电子获得足够的能量，克服共价键的束缚而成为自由电子。但因自由电子的数量非常少，所以本征半导体的导电能力非常弱。
③空穴运动，当本征半导体中的某些价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子时，在原来的共价键中留下一个空位，这种空位称为空穴，对于空穴，附近的共价键中的电子比较容易填补进来，而在附近的共价键中留下一个新的空位，同样，其他地方的电子又有可能来填补后一个空位。从效果看，这种共有电子的填补运动，相当于带正电荷的空穴在运动，为了与自由电子的运动区别开来，将这种运动称为空穴运动，并将空穴视为带正电的载流子。
④由上可见，在半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。
3.杂质半导体，在本征半导体中掺入某种特定的杂质。
①N型半导体：在四价的硅（或锗）晶体中掺入5价的杂志元素，如磷、锑、砷等，则原来晶格中的一些硅原子将被杂质原子替代。组成共价键后将多余一个电子，此电子不受共价键的束缚，而只受原子核的微弱吸引，很容易成为自由电子。失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动，并带有正电荷，称为正离子。在这种杂质半导体中，电子的浓度将大大高于空穴的浓度。因主要依靠电子导电，故称为电子型半导体或N型半导体。其中，电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
②P型半导体：在硅或锗的晶体中掺入少量的3价元素，如硼、镓、铟等，由于杂质原子的最外层只有3个价电子，当它和周围的硅原子组成共价键时，将缺少一个价电子，在常温下很容易从其他位置的共价键中夺取一个电子，使杂质原子对外呈现负电荷，形成负离子，同时在其他地方产生一个空穴。空穴的浓度将比电子的浓度高很多，因而主要依靠空穴导电，故称为空穴型半导体或P型半导体。其中，空穴称为多数载流子，电子称为少数载流子。
③多数载流子的浓度主要决定于杂质浓度，而少数载流子的浓度与温度密切相关。
4.PN结：如果将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，而另一侧掺杂成N型半导体，则在两者的交界处将形成一个PN结。
二极管：在PN结的外面装上管壳，再引出两个电极，就可以做成一个半导体二极管。阳极从P区引出，阴极从N区引出。
5.正向偏置：在PN结上外加一个电压V，正极接P区，负极接N区，这种接法称为正向接法或正向偏置（简称正偏）。
当二极管两端的正向电压超过一定的数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通，这个电压叫做门坎电压或阀值电压，硅管约为0.1V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。正向偏置时，在PN结上加一个极小的电压就可得到一个极大的电流，为了防止回路中的电流过大，应加入保护电阻或其他负载。
6.反向偏置：在PN结上外加电压的正极接N区，负极接P区，这种接法称为反向接法或反向偏置（简称反偏）。
7.当PN结正向偏置时，回路将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中的反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态，可见，PN结具有单向导电性。
8.二极管主要参数
①最大整流电流If：二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流；
②最高反向工作电压Ur：工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿。为了留有余地，常将击穿电压Urr的一半定为Ur；
③反向电流Ir：在室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流；（越小越好）
④最高工作频率fm：主要取决于结电容大小，结电容越大，二极管允许的最高工作频率越低。
9.稳压管：工作在反向击穿区的二极管（反接于电路中）。主要参数
①稳定电压Uz：稳压管工作在反向击穿区时的工作电压；
②稳定电流Iz：稳压管正常工作时的参考电流。若工作电流低于Iz，则管子的稳压性能变差，如工作电流高于Iz，只要不超过额定功率，稳压管可以正常工作。一般，工作电流较大时稳压性能较好；
③动态内阻Rz：稳压管两端电压和电流之比；（越小越好）
④额定功率Pz：稳压管两端加有电压Uz，又有一定电流通过，因此消耗一定的功率，此部分功耗转化为热能，使稳压管发热，额定功率Pz决定于稳压管允许的温升；
⑤电压的温度系数a：当稳压管电流保持不变时，环境温度没变化1℃所引起的稳定电压变化的百分比。
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-1 19:06
元器件-----二极管（应用部分）
1.常用整流二极管
2.常用稳压二极管
3.常用开关二极管：国产2CK系列（如2CK9等）、进口1N414X系列（如14148等）。
4.肖特基二极管：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。
相关/参考链接：
【1】http://zhidao.baidu.com/link?url=McyjA7OoxeQsdl8eJC994YkI_eTmS4fy19LsP09z7_arzWSGckWfiM3FDoCpOSBaXfRVglBq851EXzcZBOv16q
【2】http://wenku.baidu.com/link?url=-TvU3_iGCrAzuWTj7PQ6cnyd8JJBW-VxAODLprS-26JGj6mzzlvChio-UstD_z2b5E5zBlQRw-qjRgHBxTHGDjWYuZT2rn7udAzjCiOsz-u
【3】http://wenku.baidu.com/link?url=jZZKHAl0h_QDb83uZKAB6LQBm_UcC-OF4DO4tKEPZJ--lKEexEBo8kInhyS9bPlbL2kpNu77I5bte8NHjnU-bJSmdVVeHLaSATBCetccAeC
【4】http://zhidao.baidu.com/link?url=MhoIYY6NrAbVdbw6SoSYlgnifM0GVxb1aRYwX8LzFN4TOjw5LnHKgT2XEa0uTjlOLBmje04XsRB9I84rx66cEK
【5】http://zhidao.baidu.com/link?url=5EKeta89yJVuXHWDCcVVOc9lYeHrdVvjs_yUzTb9TjpwgJl68nfrr_rjL4sUTai5LOSQz8J1kkPk1PIhhcfP7q
二极管参数、选型表
【6】http://wenku.baidu.com/link?url=U3vHEC9MEteYRbbsUdbZ17rml0aQp_cMZG9uMACj4WZWre35KPnwvJCMrraTz0Fe0LpiTMjC2n2Z8w4sedWTRBnmPMQrrG84_w2CWEKQ15O
【7】http://wenku.baidu.com/link?url=W0jTHwqUa2MAoWFOe7HfEfLzq32cFcYnbwOWQVkH8MTh7Pw831REDwAbHyWceX-5UzzIQ37T_bSI-7hV3RLHzFsZleHP1lNqGrmU71ixGaS
【8】http://www.jdwxs.com/yqj/201109/00059038.html
【9】http://wenku.baidu.com/view/712764d63186bceb19e8bbe6.html
【10】http://wenku.baidu.com/link?url=tBYcJ0eTq1SiuJM2u59lO7TP0fE95iiZ1N9zTtEptTU_fbAFDUhmZ1wnGXwtYAbO9VajcDMvHBzkNqbRdD3knAqzWM4XUqkc_0cvaq_LQrG
【11】http://blog.sina.com.cn/s/blog_6787da550100qygf.html
【12】http://wenku.baidu.com/link?url=8x9ThLTTNdezHucdmd2HlJF1S15kgIra5HEHvkP05WiTboYYEBGbwERqiKDLsF5sFOOQFmH2wFCIS3bm_uqE2tDboz3dhBJbR4aYYnVYzA7
肖特基二极管
【13】http://wenku.baidu.com/link?url=70sh_tb5X1o9IplWzhJ5BIXcQL9c1WB9GdIjUtrb4dnJVkK3q8SA2qJK0FjAKLq6ERSb8Zj5Rdsvom56CGTsSWs5xYFBd8hWNQqZ9O_3Jtq
【14】http://zhidao.baidu.com/link?url=XfiWF_bqh4hNFP-TH7Biy7qUbT0pCCaDo_fGcRDjjGpEhQ-rPI6UOkfAcFBKgUeppwY7JyV4i14NO_brPVf14a
【15】http://zhidao.baidu.com/link?url=M25Tv005uGuCEyI2o9YZPfdzGqUzov8wjne5WdkAaVY4hfiYQxejI6rqyFcRUpUMo3H-jzLNDiJlM8dwbfoQUq
【16】http://baike.baidu.com/link?url=jVuMRn-6ebXmvyvKB9CUTyqog7jq0YUCe5A-8qBPm05gjBdj2IetFczRixvpygIWJ6sLAtAI1NZSXuLpqJYNCa
作者: 正点原子 时间: 2015-11-1 21:08
顶楼主....
作者: 济世良驹 时间: 2015-11-1 21:42
我准备开个电机相关的帖子，哈哈
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-1 22:24
回复【33楼】正点原子:
---------------------------------
原子哥，附件的描述是不是个bug啊，上传的时候有这一项，但上传完以后也看不到描述，这个描述还有什么用处呢
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-1 22:26
回复【34楼】济世良驹:
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期待...
开帖后去向你学习...
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-2 15:36
元器件-----三极管（理论部分）
1.三极管：把两个PN结做在一起，这两个互有影响的PN结构成的半导体器件称为晶体管，它有三个引出电极，也称晶体三极管。
晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管（BJT,Gipolar Junction Transistor）。
2.NPN三极管与PNP三极管构成如下
3.三个区特点如下图
4.三极管中载流子传输过程（以三极管工作在放大区+NPN型为例）
①三极管有放大作用，需e结正向偏置、c结反向偏置；三极管的放大作用是通过载流子的传输体现出来的；
②发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流Ie：因为发射极加正向电压，又因为发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区；
扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流Ib：由于基区很薄，杂质浓度很低，集电结又加了反向电压，所以扩散到基区的电子中有极少部分与空穴复合，其余部分均作为基区的非平衡少子达到集电结。又由于Vbb作用，电子与空穴的复合运动将源源不断的进行，形成基极电流Ib；
集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic：由于集电结加反向电压且结面积较大，基区的非平衡少子在外电场作用下越过集电结到达集电区，形成漂移电流，可见，在集电极电源Vcc的作用下，漂移运动形成集电极电流Ic。
【注，数量很小的一些运动/电流可能没有具体列出，如仔细学习请查看相关书籍，下同】
③由上，从外部看Ie=Ic+Ib；
④电流Ic与Ib之比称为共射直流电流放大倍数β：β=Ic/Ib。（β>>1）
⑤当以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流时，Ic与Ie之比称为共基直流电流放大系数α=Ic/Ie。（a≈1）
5.三极管的三种组态
6.三极管的输出特性可分为三个区域：截止区、放大区、饱和区；
截止区-----特征：发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，Ube≤Uon且Uce＞Ube，此时Ic≈0；
放大区-----特征：发射结正向偏置且集电结反向偏置。对于共射电路，Ube＞Uon且Uce≥Ube，此时，Ic几乎仅取决于Ib；
饱和区-----特征：发射结与集电结均处于正向偏置。对于共射电路Ube＞Uon且Uce＜Ube。此时Ic不仅与Ib有关，而且明显随着Uce增大而增大，Ic小于βIb，当Ib随Ube增大而增大时，Ic增大却不多或基本不变。
【另】开启电压如下
7.极限参数，是指为使晶体管安全工作对她的电压、电流和功率损耗的限制。
①最大集电极耗散功率Pcm：决定于三极管的温升，当硅管温度大于150℃、锗管温度大于70℃时，管子特性明显变坏；
②最大集电极电流Icm：Ic在相当大的范围内β基本不变，但当Ic的数值大到一定程度时β值将减小，使β值明显减小的Ic即为Icm，实际上，当Ic大于Icm时，晶体管不一定损坏，但β明显下降；
③极间反向击穿电压：晶体管的某一极开路时，另外两极间所允许加的最高反向电压称为几件反响，超过此值管子会发生击穿现象。
8.三极管的选用：应根据需求选择管子的型号，如用于组成音频放大电路，应选低频管；用于组成宽频带放大电路，应选高频管或超高频管；用于组成数字电路，应选开关管；若管子温升较高或反向电流要求小，则应选用硅管；若要求be间导通电压低，应选用锗管。
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-3 10:06
元器件-----常用三极管（8050、8550、9012、9013等）
一、常见封装引脚图
1.直插TO-92封装
2.贴片SOT-23封装
二、所属类型
1.NPN-----8050/9013硅三极管
2.PNP-----8550/9012硅三极管
三、主要参数
1.8050、S8050、SS8050--
http://www.to8to.com/yezhu/z16992.html
2.8550、S8550、SS8550--
http://baike.baidu.com/link?url=V2KUoSO6xWdSRP5rL3cDdyiZ1MSxnccGOmCzy_g56d8hHB5ZcSVfty0ffocGkzZo9qQe-NC7jsNcuq3JvMJqha
3.9012--
http://baike.baidu.com/link?url=Q3k7AfjqHA4VrR4riwziwWRmENeFI5FGn_dvtmAl_VyafJMsHEy1XZuB_i0AiVAaqnTL2WFZpcjJM_TOZ6k4S_
4.9013--
http://baike.baidu.com/view/3445724.htm
5.部分型号参数对照表
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-3 21:40
元器件-----三极管开关扩流的常用电路
一、三极管是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅值较大的电信号，也叫做无触点开关。在数字电路中，往往需要把数字信号经过开关扩流器来驱动一些蜂鸣器、LED、继电器等需要较大电流的器件，用的最多的开关扩流器见就是三极管。
二、三极管做开关画法辨析
1.可以正常工作电路
图一中（1）电路用的NPN三极管，蜂鸣器接在三极管的集电极，驱动信号可以是3.3V或5VTTL，高电平导通，电阻按照经验法可以取值4.7K。开通时假设为高电平5V，积极电流Ib=（5V-0.7V）/4.7K=0.9mA，可以使三极管完全饱和。
图一中（2）电路用的PNP三极管，蜂鸣器同样接在集电极，不同的是驱动信号是5VTTL电平。
以上两个都可以正常工作，只要PWM驱动信号工作在合适频率，（有源）蜂鸣器都会发出最大的声音。
2.尽量不采用电路
图二与图一电路相比，最大的区别在于被驱动器件接在三极管的发射极。
图二（3）电路，开通时假设为高电平5V，基极电流Ib=（5V-0.7V-UL）/4.7K，其中，UL为被驱动器件上的压降。可见，同样取基极电阻4.7K，流过的基极电流会比图一（1）电路要小，小的数值取决于UL，如果UL比较大，那么相应Ib就减小很多，很有可能导致三极管无法工作在饱和状态，使得被驱动器件无法动作。有人说，把积极电阻减小就可以了，可是被驱动器件的压降是很难获知的，有些被驱动器件的压降是变动的，这样一来基极电阻就较难选择合适的值，阻值太大就会驱动失败，选择太小，损耗又会变大。所以不建议选用此图电路。
图二（4）电路同理。
3.避免使用电路
图三的两个电路，驱动信号为3.3VTTL电平，而被驱动器件开通电压需要5V。在3.3V的MCU电路中，很容易错误设计出这两种电路。
图三（5）电路，典型的“发射极正偏，集电极反偏”的放大电路，或叫射极输出器。当PWM信号为3.3V时，三极管发射极电压为3.3V-0.7V=2.6V，无法达到期望5V。
图三（6）电路，此电路开通是没有问题的，当驱动信号为低电平时，被驱动器件可以正常工作，但是此电路无法关断，当驱动信号PWM为3.3V高电平的时候，Ube=5V-3.3V=1.7V仍然可以使三极管开通，即无法关断。有人会说，这个电路没问题啊，而且MCU电压也是3.3V，那么，你用的肯定是OD（开漏）驱动方式，而且是真正的OD或者是5V容忍OD，如STM32的很多IO都可以设置为5V容忍OD驱动方式，当驱动信号为OD门驱动方式时，输出高电平，信号就变成高阻态，流过基极电流为0，三极管可以有效关断，这个时候（6）电路依然有效。
4.优先采用电路
综合图一二三的情况分析，得到图四（7）（8）这两种原作者认为最优的驱动电路。与图一不同的是，图四在基极与发射极之间多加了一个100K的电阻，这个电阻是有一定作用的，可以让三极管有一个已知的默认状态。当输入信号去除的时候，三极管是还处于关断状态。在安全和稳定的方面考虑，多加的这个电阻还是很有必要的，或者说可以让三极管工作在更好的开关状态。
摘录链接：http://www.dzsc.com/data/2015-1-26/107844.html
【注】原作者分析很清晰，个人只是对配图进行重新绘制及极个别字词、段落进行调整修改，基本按原文敲打而来。
作者: 龙之谷 时间: 2015-11-4 22:41
元器件-----三极管工作状态的判别
一、三极管什么时候需要工作在放大取，什么时候需要工作在饱和区？
需要放大微弱电信号时，三极管需要工作在放大区；当需要做开关使用时，需要工作在饱和区和截至区，饱和区相当于开关导通，截止区相当于开关断开。
二、三极管做开关时导通为什么要工作在饱和区而不是放大区？
从三极管输出特性曲线可以看到，当三极管处于饱和区时，其饱和压降就会变得很小，由此，集电极损耗Pcm=I*Uce，因为Uce很小所以Pcm很小，当三极管截止时，Uce达到很大，但Ic却很小，所以Pcm仍然很小，由此，得到结论是集电极损耗最大不是出现在饱和区也不是截止区。再从开关特性上来讲，我们所希望的开关是在导通状态小导通压降越小越好，截止时漏电流越小越好，所以如果三极管做开关则应使其工作在饱和状态和截止状态。
三、如何判断三极管是工作在放大区还是饱和区、截止区？
截止区，就是三级管在工作时，集电极电流始终为0，此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0~0.5V之间时，Ib很小，无路I吧怎样变化，Ic都为0。此时三极管内阻很大，三极管截止。
放大区，当Ube在0.5~0.7V之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随着Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb），此时三极管处于放大状态。
饱和区，当三极管的基极电流Ib达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态，此时可以通过量Uce之间电压判断，Uce电压会在零点几伏，有的甚至低于0.1V。一般判断三极管是否饱和的准则是Ib*β>Ic。
四、相关/参考链接
【1】三极管的工作原理
http://blog.163.com/songbingyu8@126/blog/static/11977422201062643113845/
【2】晶体三极管工作原理讲解方法探讨（原创）
http://blog.sina.com.cn/s/blog_60c4c4e90100fg23.html
【3】三极管共基、共集、共射的区别
http://wenku.baidu.com/link?url=U6NxP4yDAjRTtz9u492tyQO0BeWxGwBl-axaCQ5fI9E1PMzc_161k8LH5qFGjApHjXvc9weQ7V2zU1OGYBSrxHuLPmoojnicVgkb3HsXMTm
【4】三极管开关原理及运用
http://wenku.baidu.com/link?url=c0dZWpUc7M3L8P2BYm_3LrqU4QCTZicUou9JXDt7NJe8t7w-7AHEtkAfOCl20HzESmqoslA3U_yAavnaPmPquSkvu2SAPHc4wZwFIiHop_e
【5】三极管的电平转换及驱动电路分析
http://blog.csdn.net/xiahouzuoxin/article/details/36633485
【6】三极管开关电路工作原理解析
http://www.elecfans.com/yuanqijian/sanjiguang/20091124113512.html
【7】三极管饱和导通的条件
http://wenda.haosou.com/q/1364849330068364
【8】三极管做开关时为什么要工作在饱和区而不是放大区
http://blog.sina.com.cn/s/blog_48e777300101okxs.html
【9】什么时候需要三极管工作在放大区什么时候饱和区？
http://zhidao.baidu.com/link?url=AZY40mM1eu0ivYgKSsEd7YUALBHt-oqScXsY_FsFzgmzvAYcZ5kEXBqJdQ3t58KHACmwa7tXIRlI4a8Bw_cKMK
【10】怎么样才能判断三极管是工作在放大区，还是饱和区还是截止区
http://zhidao.baidu.com/link?url=InhAOceETQ8x8MBMHUiz4gYGvmLBhbt3xlN_674Z8OAB8p1nw0ek9HsAodR42I8dE0EJsvOdIq69VoXqqE9jiq
【11】关于三极管的饱和状态
http://zhidao.baidu.com/question/188970341.html
【12】三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断
http://blog.csdn.net/kevinhg/article/details/7908175
五、三极管选型/参数表
【1】http://blog.sina.com.cn/s/blog_a2a6aaa301011oxe.html
【2】http://wenku.baidu.com/link?url=7KpCZKmMYlLop9_Rx2Rzl6PeyxD87T5uYBbpbpCbFRu83jG02ZIIKYShgVKkEb58FZNcTjVxrd5oCKcZwCm8mXt2U-1QTG321dAS-s6Khlu
【3】http://wenku.baidu.com/link?url=3UWTyOMQr-ExAlXsQ-Fg4MmCLmNiHcGLToeaBqlBCk0qWKMC_AYcaEj9e7iyt4AafTnbrPxVYZxjZXLtow4r22wV5KJz1ECCup-We_dPtbC
【4】http://wenku.baidu.com/link?url=Ogj_AWz9CPoDmiqj9JdRYSdEQTqbcmTqcAoZ4JztudCBPWmi-tgMZrYk8BuxOem3c3GuOgFanIaFHxVOhTX4V6OzwUzFVww-eXCfjyevu9W
【5】http://www.hongyan-e.com/web/dzbsjg1.htm
作者: 龙之谷 时间: 2015-12-10 08:52
元器件-----场效应管
一、定义：场效应管（FET，Field Effect Transistor）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中多数载流子导电，又称单极型晶体管。
特色：输入内阻高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等。
分类：结型和绝缘栅型两种不同结构。
二、结型场效应管（N沟道、P沟道两种类型）
1.N沟道：在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将他们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体的两端分别引出两个电极，一个成为漏极d，一个称为源极s。P区和N区交界面形成耗尽层，漏极和源极见的非耗尽层区域称为导电沟道。
2.三个工作区域：可变电阻区、恒流区、夹断区。
三、绝缘栅型场效应管（ICFET），栅极与源极、栅极与漏极之间均采用二氧化硅绝缘层隔离，因而得名。又因栅极为金属铝，又称MOS管（Mental-Oxide-Semiconductor）。
2.MOS管分为四种类型：N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P沟道耗尽型。
四、场效应管的符号及特性
五、场效应管主要参数
1.直流参数
2.交流参数
3.极限参数
作者: 宇智波大表哥 时间: 2016-1-7 18:00
作者: 宇智波大表哥 时间: 2016-1-7 18:56
童话里都是骗人的！！！！！
作者: 龙之谷 时间: 2016-1-7 20:20
宇智波大表哥 发表于 2016-1-7 18:56
童话里都是骗人的！！！！！
什么意思
作者: 龙之谷 时间: 2016-1-7 20:35
1.更新比较缓慢，再加上后期学习进度迟缓，自身水平所限，不再进行更新；
2.更新完成了基础元器件的简单总结、对基础元器件有了一些新的认识，略有收获；
3.更新质量不高，有断更迹象，现之状态，也只能如此了；
4.感谢开源平台和朋友们的鼓励支持，Thank you!
作者: it_do_just 时间: 2016-1-7 20:43
学习了，找个时间好好看看
作者: 一伟到 时间: 2016-8-6 16:19
跟着楼主的脚步学习学习#在这里快速回复#
作者: xiangxiangfj5 时间: 2016-11-5 16:03
不错，谢谢分享
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